[发明专利]CuSn、CuZn和Cu2ZnSn溅射靶在审
申请号: | 201580026122.0 | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN106460162A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | M·舒尔塞斯;C·西蒙斯 | 申请(专利权)人: | 贺利氏德国有限责任两合公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 李颖;林柏楠 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及包含CuZnSn材料、CuZn材料或CuSn材料的三维溅射靶。示例性的CuZnSn材料具有40原子%至60原子%的Cu含量,20原子%至30原子%的Zn含量,和20原子%至30原子%的Sn含量,其中所述三维溅射靶具有至少一个大于500毫米的主轴维度且所述CuZnSn材料具有0.005毫米至5毫米的晶粒尺寸。本发明还提出制造所述三维溅射靶的方法。 | ||
搜索关键词: | cusn cuzn cu2znsn 溅射 | ||
【主权项】:
一种三维溅射靶,其包含CuZnSn材料,该CuZnSn材料具有:40原子%至60原子%的Cu含量,20原子%至30原子%的Zn含量,和20原子%至30原子%的Sn含量,其中所述三维溅射靶具有至少一个大于500毫米的主轴维度且所述CuZnSn材料具有0.005毫米至5毫米的晶粒尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贺利氏德国有限责任两合公司,未经贺利氏德国有限责任两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580026122.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
- 控制晶相合成带隙可调的单分散Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>纳米晶的方法
- 超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法
- 含铜纳米晶及其制备方法
- 一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜
- 一种循环浸渍制备Cu2ZnSn(S1‑x,Sex)4纳米晶薄膜的方法
- 一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及产品
- CuSn、CuZn和Cu2ZnSn溅射靶
- 一种铜锌锡硫硒纳米晶的制备方法
- 一种Cu<base:Sub>2
- 一种Cu<sub>2</sub>ZnSn(S;Se)<sub>4</sub>薄膜太阳能电池