[发明专利]干法刻蚀掩膜层而不氧化存储单元和源线的方法有效

申请号：	201580026524.0	申请日：	2015-04-28
公开（公告）号：	CN106463345B	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	K·阿克塔尔;A·杜塔;A·J·施里恩斯基;S·J·特拉普	申请（专利权）人：	索尼半导体解决方案公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/311;H01L21/321;H01L21/768;C23C8/04;C23C8/08;H01L45/00
代理公司：	11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王莉莉
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明的各种实施例涉及在去除掩膜层(106)之前钝化金属线(300，301，302，310)例如CBRAM的存储单元和金属线以防止金属线的氧化的方法。所述方法包括暴露金属线(如铜)以及使金属线与基于氟的刻蚀剂反应从而形成由CuFx构成的保护膜(400)。
搜索关键词：	刻蚀掩膜层氧化存储单元方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种用于制造存储单元的方法，所述方法包括：/n在剥露电介质层之前在不使单元结构和源线氧化的情况下对单元结构和源线执行钝化步骤以防止所述单元结构和源线的氧化，包括：使用钝化所述单元结构和源线的金属层的化合物在所述单元结构和源线上形成保护膜，其中所述化合物是基于氟的化合物，所述电介质层由能够被剥露且不与氟反应的物质组成，所述保护膜从所述化合物与金属层的反应形成，/n使用基于氧的等离子体剥露所述电介质层，以及/n通过使用原位H

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580026524.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]干法刻蚀掩膜层而不氧化存储单元和源线的方法有效

专利文献下载