[发明专利]干法刻蚀掩膜层而不氧化存储单元和源线的方法有效

专利信息
申请号: 201580026524.0 申请日: 2015-04-28
公开(公告)号: CN106463345B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: K·阿克塔尔;A·杜塔;A·J·施里恩斯基;S·J·特拉普 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/311;H01L21/321;H01L21/768;C23C8/04;C23C8/08;H01L45/00
代理公司: 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王莉莉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的各种实施例涉及在去除掩膜层(106)之前钝化金属线(300,301,302,310)例如CBRAM的存储单元和金属线以防止金属线的氧化的方法。所述方法包括暴露金属线(如铜)以及使金属线与基于氟的刻蚀剂反应从而形成由CuFx构成的保护膜(400)。
搜索关键词: 刻蚀 掩膜层 氧化 存储 单元 方法
【主权项】:
1.一种用于制造存储单元的方法,所述方法包括:/n在剥露电介质层之前在不使单元结构和源线氧化的情况下对单元结构和源线执行钝化步骤以防止所述单元结构和源线的氧化,包括:使用钝化所述单元结构和源线的金属层的化合物在所述单元结构和源线上形成保护膜,其中所述化合物是基于氟的化合物,所述电介质层由能够被剥露且不与氟反应的物质组成,所述保护膜从所述化合物与金属层的反应形成,/n使用基于氧的等离子体剥露所述电介质层,以及/n通过使用原位H
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