[发明专利]一种磁传感器有效

专利信息
申请号: 201580026554.1 申请日: 2015-03-13
公开(公告)号: CN106662622B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: B·N·恩格尔;P·G·马瑟 申请(专利权)人: 艾沃思宾技术公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 魏小薇
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种磁传感器。所公开的实施例涉及实现斩波技术和相关结构来抵消隧穿磁阻(TMR)场传感器中的磁1/f噪声作用。TMR场传感器包括:第一桥电路,其包括用于感测磁场的多个TMR元件;以及第二电路,其用于向各TMR元件施加双极电流脉冲。电流线连续地或顺序连接到场源,以接收双极电流脉冲。场传感器具有包括响应于双极脉冲的高输出和低输出的输出。此不对称响应允许进行场传感器中的1/f噪声减小的斩波技术。
搜索关键词: 用于 减小 磁场 传感器 中的 噪声 偏移 双极斩波
【主权项】:
1.一种磁传感器,包括:第一多个磁阻传感器元件,所述第一多个磁阻传感器元件耦接在一起成为第一电路;以及第二电路,所述第二电路与所述第一电路相邻并且被配置为从与所述第二电路耦接的双极电流源接收双极电流信号,其中所述第二电路的一部分与所述第一多个磁阻传感器元件中的每个磁阻传感器元件相邻,并且其中双极电流信号(600)是包括正部分(610)、与正部分(610)不同的负部分(620)、在所述正部分的开始处的正重置脉冲(611)以及在所述负部分(620)的开始处的负重置脉冲(621)的周期信号。
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