[发明专利]极窄漏磁场磁铁型MRI装置有效
| 申请号： | 201580026951.9 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106456047B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 阿部充志;竹内博幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;金成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电磁铁，其由构成在医疗诊断用中使用的磁共振断层成像装置(MRI)的主线圈组(正电流)和屏蔽线圈组(负电流)构成，该电磁铁将负电流的屏蔽线圈区设为三个以上，且将至少一个以上的屏蔽线圈区的位置位于比主线圈区远的位置，而且使半径比其它屏蔽线圈区小。 | ||
| 搜索关键词： | 极窄漏 磁场 磁铁 mri 装置 | ||
【主权项】：
一种水平磁场型MRI装置，其具有两端开口的圆筒状的磁铁，上述水平磁场型MRI装置的特征在于，上述磁铁包括：多个圆环状的主线圈；以及直径比上述主线圈的直径大且与上述主线圈配置在同轴上的多个圆环状屏蔽线圈，上述屏蔽线圈在上述轴上至少配置三个以上，任一上述主线圈均在上述轴向上配置得比配置在两端的上述屏蔽线圈靠上述磁铁的中央侧，上述屏蔽线圈在上述轴向上越靠近上述磁铁的中央部，直径越大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580026951.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
