[发明专利]单晶硅的生长方法有效
| 申请号： | 201580027054.X | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106460227B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 高沢雅纪 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅的生长方法，其特征在于，预先确定使得在后热工序中使单晶硅逐渐冷却时的、圆化部上的相当应力与临界分切应力的比值成为最大的直径，在圆化工序中，以使确定的直径的位置的晶格间氧浓度达到8.8×1017atoms/cm3(ASTM’79)以上这样的条件来生长圆化部。由此，在采用CZ法的单晶硅的制造中，能够抑制在圆化工序结束后、使结晶逐渐冷却的后热工序中，在单晶硅的圆化部发生滑移位错的情况，高效地生长大重量、大直径的单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的生长方法，其采用切克劳斯基法，使晶种与原料熔融液接触，在圆锥工序中生长扩径部，在直体工序中与所述扩径部连续地生长直体部，在圆化工序中使所述直体部的直径逐渐地缩径而形成圆化部，在从所述熔融液切出单晶硅后，在后热工序中使所述单晶硅逐渐冷却，从而生长单晶硅，所述单晶硅的生长方法的特征在于，预先确定使得在所述后热工序中使所述单晶硅逐渐冷却时的、所述圆化部上的相当应力与临界分切应力的比值成为最大的直径，在所述圆化工序中，以使所述确定的直径的位置的基于ASTM’79的晶格间氧浓度为8.8×1017atoms/cm3以上这样的条件来生长所述圆化部。
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