[发明专利]交叉点存储器中的参考架构有效
| 申请号： | 201580027158.0 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106415728B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | B.斯里尼瓦桑;D.里弗斯;D.考;M.戈德曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C7/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;张涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及交叉点存储器中的参考和感测架构。装置可以包括存储器控制器，配置为选择用于存储器访问操作的目标存储器单元。存储器控制器包括：字线（WL）开关电路，配置为选择与目标存储器单元相关联的全局WL（GWL）和本地WL（LWL）；位线（BL）开关电路，配置为选择与目标存储器单元相关联的全局BL（GBL）和本地BL（LBL）；以及感测电路，包括第一感测电路电容和第二感测电路电容，感测电路配置为将所选GWL、LWL和第一感测电路电容预充电至WL偏置电压WLVDM，利用所选GWL上的电荷和第一感测电路电容上的电荷来产生参考电压（VREF），并且至少部分地基于VREF和所检测到的存储器单元电压VLWL来确定目标存储器单元的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉点 存储器 中的 参考 架构 | ||
【主权项】：
1.一种用于产生参考电压的装置，包括：存储器控制器，配置为选择用于存储器访问操作的目标存储器单元，所述存储器控制器包括：字线（WL）开关电路，配置为选择与所述目标存储器单元相关联的全局WL（GWL）和本地WL（LWL）；位线（BL）开关电路，配置为选择与所述目标存储器单元相关联的全局BL（GBL）和本地BL（LBL）；以及感测电路，包括第一感测电路电容和第二感测电路电容，所述感测电路配置为将所选GWL、LWL和所述第一感测电路电容预充电至WL偏置电压WLVDM，利用所选GWL上的电荷和所述第一感测电路电容上的电荷来产生参考电压VREF，并且至少部分地基于VREF和所检测到的存储器单元电压VLWL来确定所述目标存储器单元的状态。
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