[发明专利]氮化物类化合物半导体有效
| 申请号： | 201580027209.X | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106415802B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 伊藤伸之;远崎学;小河淳 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物类化合物半导体具有衬底(1)和设置在衬底(1)上的氮化物类化合物半导体叠层体(11)。氮化物类化合物半导体叠层体(11)包括多层缓冲层(4)、叠层在该多层缓冲层(4)上的沟道层(5)和叠层在该沟道层(5)上的电子供给层(6)。设置有从电子供给层(6)的表面贯通沟道层(5)和多层缓冲层(4)的凹部(110)，在该凹部(110)内设置有与多层缓冲层(4)和沟道层(5)相邻、并且导热系数比多层缓冲层(4)高的散热层(210)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 化合物 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类化合物半导体，其包括：衬底(1)；和设置在所述衬底(1)上的氮化物类化合物半导体叠层体(11、12、13、14、15、16)，所述氮化物类化合物半导体叠层体(11、12、13、14、15、16)包括：多层缓冲层(4、104)；设置在该多层缓冲层(4、104)上的沟道层(5)；和叠层在该沟道层(5)上的电子供给层(6、106)，所述氮化物类化合物半导体的特征在于：所述氮化物类化合物半导体具有从所述电子供给层(6、106)的表面贯通所述沟道层(5)和所述多层缓冲层(4、104)的凹部(110、120、130、140、150、160)，在所述凹部(110、120、130、140、150、160)内，设置有与所述多层缓冲层(4、104)和叠层在该多层缓冲层(4、104)上的层相邻、并且导热系数比所述多层缓冲层(4、104)高的散热层(210、220、260、270、280)，所述散热层(210、220、260、270、280)具有AlxInyGa1‑x‑yAsuPvN1‑u‑v的组成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1，0≤u＜1，0≤v＜1，u+v＜1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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