[发明专利]绝缘体上硅晶圆的制造方法

摘要

本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法，包含(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于SOI层表面形成热氧化膜；(b)测定热氧化膜形成后SOI的膜厚度；(c)对该SOI层进行批次式洗净，借由因应于步骤(b)测定SOI层的膜厚度而将经该批次式洗净后SOI层的膜厚度调整成比目标值较厚；(d)测定经批次洗净后SOI层的膜厚度；以及(e)对SOI层进行单片式洗净，借由因应于步骤(d)测定SOI层的膜厚度而将经单片式洗净后SOI层的膜厚度调整成目标值；其中，于步骤(a)之后且于步骤(b)之前，或于步骤(b)之后且于步骤(c)之前，去除在步骤(a)所形成的热氧化膜。借此制造有良好均一性SOI层膜厚度的SOI晶圆。

主权项

1.一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法，将于绝缘层上形成SOI层的SOI晶圆的该SOI层减少至预定的厚度，使该SOI层的膜厚度达到目标值，该SOI晶圆的制造方法至少包含下列步骤：(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于该SOI层的表面形成热氧化膜；(b)测定该热氧化膜形成后的SOI层的膜厚度；(c)对该SOI层进行批次(batch)式洗净，该批次式洗净包括将该SOI层浸泡于对于该SOI层具蚀刻性的洗净液，借由因应于该步骤(b)所测定的SOI层的膜厚度来调整该SOI层的蚀刻量，而将经该批次式洗净后的SOI层的膜厚度调整成比该目标值较厚；(d)测定经该批次洗净后的SOI层的膜厚度；以及(e)对该SOI层进行单片式洗净，该单片式洗净包括将该SOI层浸泡于对于该SOI层具蚀刻性的洗净液，借由因应于该步骤(d)所测定的SOI层的膜厚度来调整该SOI层的蚀刻量，而将经该单片式洗净后的SOI层的膜厚度调整成该目标值，其中，于该步骤(a)之后且于该步骤(b)之前，或于该步骤(b)之后且于该步骤(c)之前，去除在该步骤(a)所形成的热氧化膜。