[发明专利]用于改良的金属离子过滤的方法和设备有效
申请号: | 201580027248.X | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN106415785B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 唐先民;李靖珠;刘国俊 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/203 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中,基板处理腔室包括:腔室主体和腔室盖,腔室盖安置在腔室主体上,界定腔室主体内于盖下方的处理区域;准直器,安置在处理区域中;电源,耦接至准直器;以及第一组磁体,所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方,和第二组磁体,所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方,所述两组磁体一起产生导引磁场,所述导引磁场大体上垂直于准直器。 | ||
搜索关键词: | 用于 改良 金属 离子 过滤 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种基板处理腔室,包括:腔室主体和安置在所述腔室主体上的腔室盖,所述腔室盖在所述腔室主体内于所述盖之下界定处理区域;准直器,所述准直器安置在所述处理区域中;电源,所述电源耦接至所述准直器;和第一组磁体,所述第一组磁体在所述腔室主体周围安置在所述准直器上方,和一第二组磁体,所述第二组磁体在所述腔室主体周围安置在所述准直器下方,所述第一组磁体与所述第二组磁体共同产生导引磁场,所述导引磁场大体上垂直于所述准直器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造