[发明专利]用于改良的金属离子过滤的方法和设备有效

专利信息
申请号: 201580027248.X 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN106415785B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 唐先民;李靖珠;刘国俊 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/203
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中,基板处理腔室包括:腔室主体和腔室盖,腔室盖安置在腔室主体上,界定腔室主体内于盖下方的处理区域;准直器,安置在处理区域中;电源,耦接至准直器;以及第一组磁体,所述第一组磁体在腔室主体周围安置在准直器上方,和第二组磁体,所述第二组磁体在腔室主体周围安置在准直器下方,所述两组磁体一起产生导引磁场,所述导引磁场大体上垂直于准直器。
搜索关键词: 用于 改良 金属 离子 过滤 方法 设备
【主权项】:
一种基板处理腔室,包括:腔室主体和安置在所述腔室主体上的腔室盖,所述腔室盖在所述腔室主体内于所述盖之下界定处理区域;准直器,所述准直器安置在所述处理区域中;电源,所述电源耦接至所述准直器;和第一组磁体,所述第一组磁体在所述腔室主体周围安置在所述准直器上方,和一第二组磁体,所述第二组磁体在所述腔室主体周围安置在所述准直器下方,所述第一组磁体与所述第二组磁体共同产生导引磁场,所述导引磁场大体上垂直于所述准直器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580027248.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top