[发明专利]存储器单元、半导体结构、半导体装置及制作方法

摘要

一种磁性单元包含磁性区，所述磁性区由包括扩散物质及至少一种其它物质的前驱物磁性材料形成。非晶区接近于所述磁性区且由包括至少一种吸子物质的前驱物陷获材料形成，所述至少一种吸子物质具有至少一个陷获位点及对所述扩散物质的化学亲和力。所述扩散物质从所述前驱物磁性材料转移到所述前驱物陷获材料，其中所述扩散物质在所述陷获位点处键结到所述至少一种吸子物质。所述浓化陷获材料的物质可互混，使得所述浓化陷获材料变成或保持非晶的。接着可在无来自所述非晶浓化陷获材料的干扰的情况下通过来自相邻结晶材料的传播使耗尽磁性材料结晶。此实现高隧道磁阻及高磁各向异性强度。本发明还揭示制作方法及半导体装置。

主权项

1.一种存储器单元，其包括：磁性单元核心，其包括：磁性区，其包括由前驱物磁性材料形成的耗尽磁性材料，所述前驱物磁性材料包括至少一种扩散物质及至少一种其它物质，所述耗尽磁性材料包括所述至少一种其它物质；另一磁性区；氧化物区，其介于所述磁性区与所述另一磁性区之间；及非晶区，其与所述磁性区相接触，所述非晶区由前驱物陷获材料形成，所述前驱物陷获材料包括至少一种吸子物质，所述至少一种吸子物质具有至少一个陷获位点且对所述至少一种扩散物质的化学亲和力高于所述至少一种其它物质对所述至少一种扩散物质的化学亲和力，所述非晶区包括键结到来自所述前驱物磁性材料的所述至少一种扩散物质的所述至少一种吸子物质。