[发明专利]阻气性膜及使用其的电子器件有效
| 申请号： | 201580027623.0 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106414063B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 伊东宏明;室田和敏 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C23C16/42;H01L31/048;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，提供一种保存稳定性、特别是苛刻的条件(高温高湿条件)下的保存稳定性优异的阻气性膜。本发明为一种阻气性膜，其在基材上具有至少含有Al原子及Si原子的阻气层，其中，在各构成元素分布曲线中的、在所述阻气层的层厚方向上距所述阻气层表面的距离和相对于所述阻气层中的全部元素总量(100at％)的Al分布曲线中，具有所述阻气层的Al原子在层厚方向上组成连续地变化的区域，所述阻气层的与基材侧相反一侧的Al原子量比基材侧的Al原子量多，所述各构成元素分布曲线是根据采用X射线光电子分光法进行的所述阻气层在深度方向上的元素分布测定而得到的。 | ||
| 搜索关键词： | 气性 使用 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种阻气性膜，其在基材上具有至少含有Al原子及Si原子的阻气层，其中，在各构成元素分布曲线中的Al分布曲线中，具有所述阻气层的Al原子在层厚方向上组成连续变化的区域，所述阻气层的与基材侧相反一侧的Al原子的量比基材侧的Al原子的量多，所述各构成元素分布曲线是根据采用X射线光电子分光法进行的所述阻气层在深度方向上的元素分布测定而得到的，所述Al分布曲线是基于在所述阻气层的层厚方向上距所述阻气层表面的距离和相对于所述阻气层中的全部元素总量100at％的Al含量的Al分布曲线，在所述Al分布曲线中，从所述基材侧连续增加的区域具有以SiO2计为0.5at％/nm以上、以SiO2计为2at％/nm以下的斜率。
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