[发明专利]包括N型和P型超晶格的电子装置有效
| 申请号： | 201580027679.6 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106415854B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | P.阿塔纳科维奇 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳UV科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本文公开了一种超晶格和用于形成所述超晶格的方法。具体地讲，公开了一种所设计的形成超晶格的层状单晶结构。所述超晶格提供p型导电性或n型导电性，并且包括交替的基质层和杂质层，其中：所述基质层基本上由半导体材料组成；并且所述杂质层基本上由对应的施主材料或受主材料组成。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 晶格 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，包括：n型超晶格，所述n型超晶格提供n型传导性；以及p型超晶格，所述p型超晶格提供p型传导性；所述n型超晶格包括交替的基质层和施主杂质层，其中：所述基质层由III族金属氮化物半导体原子构成；并且所述施主杂质层由对应的施主原子的单层构成；所述p型超晶格包括交替的基质层和受主杂质层，其中：所述基质层由所述III族金属氮化物半导体原子构成；并且所述受主杂质层由对应的受主原子的单层构成；以及n型超晶格的基质层的III族金属氮化物半导体原子与p型超晶格的基质层的III族金属氮化物半导体原子相同。
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