[发明专利]光电装置有效
| 申请号： | 201580027680.9 | 申请日： | 2015-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106663718B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | P.阿塔纳科维奇 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳UV科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光电装置，所述光电装置包括半导体结构，所述半导体结构包括p型有源区和n型有源区。所述半导体结构仅由一个或多个超晶格构成，其中每个超晶格由多个单位晶胞构成。每个单位晶胞包括至少两个不同的基本单晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光电装置，所述光电装置包括半导体结构，所述半导体结构包括：p型活性区，包括p型超晶格；n型活性区，包括n型超晶格；以及i型活性区，在所述n型活性区与所述p型活性区之间，包括i型超晶格；其中：所述半导体结构仅由一个或多个超晶格构成；每个所述p型超晶格由多个p型单位晶胞构成；所述n型超晶格由多个n型单位晶胞构成；所述i型超晶格由多个i型单位晶胞构成；其中所述多个p型、n型以及i型单位晶胞每个的平均合金含量对于全部所述一个或多个超晶格沿着生长方向是恒定的；并且每个单位晶胞包括至少两个不同的基本单晶层；所述p型单位晶胞包括至少两个不同的基本单晶层的第一集合；所述n型单位晶胞包括至少两个不同的基本单晶层的第二集合；所述i型单位晶胞包括至少两个不同的基本单晶层的第三集合；所述至少两个不同的基本单晶层的第三集合的组合厚度厚于所述至少两个不同的基本单晶层的第一集合的组合厚度；所述至少两个不同的基本单晶层的第三集合的组合厚度厚于所述至少两个不同的基本单晶层的第二集合的组合厚度；所述至少两个不同的基本单晶层的第一集合、第二集合以及第三集合中所包括的全部不同的基本单晶层具有小于或等于维持弹性应变所需的临界层厚度的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯兰纳UV科技有限公司，未经斯兰纳UV科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580027680.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
