[发明专利]纳米材料-掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料-掺杂剂组合物复合体和掺杂剂组合物有效
申请号: | 201580027774.6 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN106415866B | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 野野口斐之;河合壮;上绀屋史彦;大桥贤次;武田一宏 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学;积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L35/34 | 分类号: | H01L35/34;C01B32/158;C01B32/182;H01L35/16;H01L35/22;H01L35/24 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李照明;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供能够简便且有效地改变纳米材料的塞贝克系数的值的纳米材料-掺杂剂组合物复合体的制造方法。本发明的制造方法包含使掺杂剂组合物在溶剂中接触纳米材料的接触工序、和除去上述溶剂的干燥工序,上述掺杂剂组合物含有特定的阴离子和 |
||
搜索关键词: | 纳米 材料 掺杂 组合 复合体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米材料-掺杂剂组合物复合体的制造方法,其特征在于,包含接触工序和干燥工序,在上述接触工序中使掺杂剂组合物在溶剂中接触纳米材料,该掺杂剂组合物用于改变该纳米材料的塞贝克系数,在上述干燥工序中除去上述溶剂,上述掺杂剂组合物含有阴离子和阳离子,上述阴离子是选自氢氧根离子、烷氧离子、含硫的离子、烷硫离子、氰根离子和羧酸根离子之中的至少一种,上述阳离子是由下述通式(I)~(III)的任一者表示的
离子、或具有下述通式(IV)表示的重复单元的
离子,
式(I)中,Y是氮原子或磷原子,R1~R4分别独立地为氢原子、碳数1~16的烷基、碳数1~16的芳基、或-S-R,在此,S是作为间隔基团的、碳数为1~16的亚烷基,R是(甲基)丙烯酰基或环氧基,
式(II)中,R1~R5分别独立地为氢原子、碳数1~16的烷基或-S-R,在此,S是作为间隔基团的、碳数为1~16的亚烷基,R是(甲基)丙烯酰基或环氧基,
式(III)中,R1~R6分别独立地为氢原子、碳数1~16的烷基、或-S-R,在此,S是作为间隔基团的、碳数为1~16的亚烷基,R是(甲基)丙烯酰基或环氧基,
式(IV)中,Y是氮原子或磷原子,n是1以上的整数,在通过上述干燥工序而得到的纳米材料-掺杂剂组合物复合体中,阴离子和阳离子以相互解离的状态存在。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学;积水化学工业株式会社,未经国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学;积水化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580027774.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。