[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580027849.0 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106463542B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 西胁克彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/739 |
| 代理公司： | 11225 北京金信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备：第一沟槽，其被形成在半导体基板表面上；第二沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并且在对半导体基板的表面进行俯视观察时，在与第一沟槽不同的方向上延伸且与第一沟槽相交。此外，半导体装置具备：栅极绝缘膜，其覆盖第一沟槽与第二沟槽的内表面以及交叉部的内表面；栅电极，其被形成在第一沟槽与所述第二沟槽内，并且隔着栅极绝缘膜而与半导体基板对置。此外，半导体装置具备n型发射区，其被形成在半导体基板内，且在半导体基板的表面上露出，并与第二沟槽内的栅极绝缘膜相接，并且与形成在第一沟槽和第二沟槽的交叉部的内表面上的栅极绝缘膜不相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n第一沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；/n第二沟槽，其被形成在所述表面上，并且在对所述表面进行俯视观察时在与所述第一沟槽不同的方向上延伸且与第一沟槽相交；/n栅极绝缘膜，其覆盖所述第一沟槽与所述第二沟槽的内表面、以及所述第一沟槽与所述第二沟槽的交叉部的内表面；/n栅电极，其被形成在所述第一沟槽与所述第二沟槽内，并且隔着栅极绝缘膜而与所述半导体基板对置；/n第一导电型的第一半导体区域，其被形成在所述半导体基板内，且在所述表面上露出，并与所述第二沟槽内的所述栅极绝缘膜相接，并且与覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的交叉部的内表面的所述栅极绝缘膜不相接；/n第二导电型的第二半导体区域，其被形成在所述半导体基板内，并与和所述第一半导体区域相比靠较深侧的所述第二沟槽内的所述栅极绝缘膜相接；/n第一导电型的第三半导体区域，其被形成在所述半导体基板内，并与和所述第二半导体区域相比靠较深侧的所述第二沟槽内的所述栅极绝缘膜相接，并且通过所述第二半导体区域而与所述第一半导体区域分离，/n在所述第二沟槽的一侧形成有所述第一半导体区域，并且在所述第二沟槽的另一侧未形成有所述第一半导体区域。/n
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