[发明专利]十二羰基三钌的纯化方法有效
申请号: | 201580029464.8 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN106458637B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 中川裕文;石坂翼;石田博文;熊仓亚希子 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C07F15/00 | 分类号: | C07F15/00;C23C16/16 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 张苏娜,常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供用以得到十二羰基三钌(DCR)的纯化方法,该DCR为化学沉积原料用的DCR,并且即使在形成钌薄膜时也不会在薄膜中混入杂质。本发明涉及通过重结晶法纯化由DCR构成的化学沉积原料用的有机钌化合物的方法,其中至少在溶解阶段中,溶剂中的溶解氧浓度为0.2mg/L以下。根据本发明,可从DCR中分离出微量的杂质,如果通过由此得到的DCR来形成钌薄膜,则难以在形成的膜中混入杂质。另外,本发明的纯化方法也可在用于形成钌薄膜后,应用于DCR的回收纯化。 | ||
搜索关键词: | 十二 羰基 纯化 方法 | ||
【主权项】:
一种十二羰基三钌(DCR)的纯化方法,其特征在于:在通过重结晶法纯化由以下式表示的DCR构成的化学沉积原料用的有机钌化合物的方法中,[化1]通过重结晶法纯化DCR的重结晶步骤包括使DCR溶解于溶剂中的溶解阶段、使溶剂中的DCR析出的析出阶段、以及回收析出的DCR的回收阶段,其中至少溶解阶段在溶剂中的溶解氧浓度为0.2mg/L以下的条件下进行。
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