[发明专利]阻气性层合体及其制备方法、电子器件用部件以及电子器件有效
| 申请号： | 201580029504.9 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106457763B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 三村寿文;铃木悠太;永绳智史 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及阻气性层合体、其制备方法、由所述阻气性层合体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气性层合体具有：具有基材和改性促进层的基材单元，和在所述基材单元的改性促进层一侧形成的阻气层；所述阻气性层合体的特征在于：所述改性促进层在23℃下的弹性模量低于30GPa，所述基材单元在温度为40℃、相对湿度为90%下的水蒸气透过率为1.0g/(m2·天)以下，所述阻气层是对在所述基材单元的改性促进层一侧形成的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而形成的层。根据本发明，可提供阻气性和耐弯曲性优异的阻气性层合体等。 | ||
| 搜索关键词： | 气性 合体 及其 制备 方法 电子器件 部件 以及 | ||
【主权项】：
1.阻气性层合体，其具有：具有基材和改性促进层的基材单元，和在所述基材单元的改性促进层一侧形成的阻气层；所述阻气性层合体的特征在于：所述改性促进层在23℃下的弹性模量低于30GPa，所述基材单元在温度40℃、相对湿度90%下的水蒸气透过率为1.0g/(m2·天)以下，所述阻气层是对在所述基材单元的改性促进层一侧形成的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而形成的层，且所述改性促进层的厚度与所述改性促进层在23℃下的弹性模量的积为2000N/m以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580029504.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高极限氧指数电绝缘层合体
- 下一篇：层叠体及其制造方法
