[发明专利]铁电存储器及其形成方法

摘要

本发明提供铁电存储器及其形成方法。实例存储器单元可包含形成于衬底中的埋设凹入式存取装置BRAD及形成于所述BRAD上的铁电电容器。

主权项

1.一种存储器单元，其包括：埋设凹入式存取装置BRAD(112、212‑0、212‑1、212‑2、212、312‑0、312‑1、312‑2、412‑0、412‑1、412‑2)，其形成于衬底(203)中；铁电电容器(120‑0、120‑1、120‑2、120‑3、120、220‑0、220‑1、220‑2、220、320‑0、320‑1、320‑2、420、520‑0、520‑1、520‑2、520)，其形成于所述BRAD上；第一导电接触件(230、330、430)，其直接形成于对应于所述BRAD的作用区(215、315、415)，其中所述第一导电接触件将所述铁电电容器的第一电极(229、329、529)连接到第二单元的电容器(120‑0、120‑1、120‑2、120‑3、120、220‑0、220‑1、220‑2、220、320‑0、320‑1、320‑2、420、520‑0、520‑1、520‑2、520)的第一电极(229、329、529)；第二导电接触件(221、321、421、521)，其将所述第二单元的第二电极(227、327、527)连接到第三单元的电极(227、327、527)，其中所述第二单元的铁电电容器的铁电材料(225、325、525)直接接触所述第二导电接触件；其中在第一源极/漏极区(215、217、315、317、415、417)与对应于所述BRAD的第二源极/漏极区(215、217、315、317、415、417)之间形成所述BRAD(112、212‑0、212‑1、212‑2、212、312‑0、312‑1、312‑2、412‑0、412‑1、412‑2)的栅极，且其中在所述第一及所述第二源极/漏极区中的至少一者的上表面下方形成所述栅极；以及其中所述铁电电容器(120‑0、120‑1、120‑2、120‑3、120、220‑0、220‑1、220‑2、220、320‑0、320‑1、320‑2、420、520‑0、520‑1、520‑2、520)的底部电极(229、329、529)耦合到所述第一源极/漏极区(215、217、315、317、415、417)，且其中所述铁电电容器的顶部电极(227、327、527)耦合到所述第二源极/漏极区(215、217、315、317、415、417)。