[发明专利]用于感应监测导电沟槽深度的基板特征有效
申请号: | 201580029870.4 | 申请日: | 2015-06-18 |
公开(公告)号: | CN106415792B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | W·陆;Z·王;W-C·图;Z·王;H·G·伊拉瓦尼;B·A·斯伟德克;F·C·雷德克;W·H·麦克林托克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于集成电路的制造的基板具有带有多个导电互连件的层。所述基板包括:半导体主体;设置在所述半导体主体上方的电介质层;导电材料的多个导电线,设置在所述电介质层中的第一沟槽中以提供导电互连件;以及所述导电材料的封闭的导电环路结构,设置在所述电介质层中的第二沟槽中。所述封闭的导电环路不电性连接至导电线中的任一导电线。 | ||
搜索关键词: | 用于 感应 监测 导电 沟槽 深度 特征 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成电路的制造的基板,所述集成电路具有层,所述层具有多个导电互连件,所述基板包含:半导体主体;电介质层,所述电介质层设置在所述半导体主体上方;导电材料的多个导电线,所述导电材料的多个导电线设置在所述电介质层中的第一沟槽中以提供所述导电互连件;以及导电材料的封闭的导电环路结构,所述导电材料的封闭的导电环路结构设置在所述电介质层中的第二沟槽中,其中所述封闭的导电环路结构包含通过导电区域的多个开口以提供多个电性连接的导电环路,其中所述封闭的导电环路结构不电性连接至所述导电线中的任一导电线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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