[发明专利]中子转换器的制造方法在审
| 申请号： | 201580031423.2 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107250421A | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 麦克·斯托默;克里斯汀·霍斯特曼;格雷戈尔·诺瓦克;赖因哈德·卡普曼;约翰·黑德 | 申请（专利权）人： | 亥姆霍兹中心盖斯特哈赫特材料及海岸研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/16;G01T3/00 |
| 代理公司： | 北京攀腾专利代理事务所(普通合伙)11374 | 代理人： | 彭蓉,陈纤 |
| 地址： | 德国盖斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在中子透明金属基材上由碳化硼或硼膜制备中子转换器的方法。所述中子透明金属基材在第一步骤中通过研磨进行抛光，并且在后续步骤中通过溅射涂覆碳化硼或硼膜。促进粘着层可以选择性地施加在金属基材和硼或碳化硼层的下方之间。所获得的涂层具有高度均匀的层厚、化学组成和同位素比率以及低含量的诸如氧或氮的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 中子 转换器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种通过溅射为金属板涂覆碳化硼的方法，其中所述金属板在第一步骤通过精细研磨进行抛光并且在第二步骤通过溅射进行涂覆。
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