[发明专利]用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质

摘要

披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。

主权项

一种使用循环工艺在含硅基板中蚀刻孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板以形成经蚀刻的含硅基板；b.用不饱和含氢聚合物沉积流体的等离子体将聚合物沉积在该经蚀刻的含硅基板上，其中该不饱和含氢聚合物选自下组，该组由以下各项组成：(Z)‑1，2，3，3，3‑五氟丙烯、1，1，2，3，3‑五氟丙烯、1，1，3，3，3‑五氟丙烯、1，2，3，3，3‑五氟丙烯、(E)‑1，2，3，3，3‑五氟丙烯、1，1，3，4，4，4‑六氟丁‑2‑烯、2，3，3，4，4，4‑六氟‑1‑丁烯；1，1，2，3，3，4，4‑七氟丁‑1‑烯、1，1，1，2，4，4，4‑七氟‑2‑丁烯、顺式‑1，1，2，2，3，4‑六氟环丁烷、(Z)‑1，1，1，4，4，4‑六氟‑2‑丁烯、(E)‑1，1，1，4，4，4‑六氟‑2‑丁烯、反式‑1，1，2，2，3，4‑六氟环丁烷、六氟异丁烯、以及其组合；c.重复步骤a和b。