[发明专利]存储器单元及存储器单元阵列有效
| 申请号： | 201580031963.0 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106463170B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;韦恩·肯尼;马尔科·蒂布尔齐 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L51/30 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器单元包含第一电极及第二电极。选择装置及可编程装置彼此串联于所述第一电极与所述第二电极之间。所述选择装置接近于且电耦合到所述第一电极。所述可编程装置接近于且电耦合到所述第二电极。所述可编程装置包含具有径向外侧壁的径向内电极。铁电材料径向地位于所述内电极的所述外侧壁之外。径向外电极径向地位于所述铁电材料之外。所述外电极或所述内电极中的一者电耦合到所述选择装置。所述外电极及所述内电极中的另一者电耦合到所述第二电极。本发明揭示存储器单元阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，其包括：/n第一电极及第二电极；/n选择装置及可编程装置，所述选择装置与所述可编程装置彼此串联于所述第一电极与所述第二电极之间，所述选择装置接近于且电耦合到所述第一电极，所述可编程装置接近于且电耦合到所述第二电极；且/n所述可编程装置包括：/n径向内电极，其具有径向外侧壁，在穿过所述径向内电极的轴向中心所截取的垂直横截面中，所述径向内电极具有向上敞开的容器状形状；/n铁电材料，其径向地位于所述径向内电极的所述外侧壁之外；/n径向外电极，其径向地位于所述铁电材料之外；/n所述径向外电极或所述径向内电极中的一者电耦合到所述选择装置，所述径向外电极及所述径向内电极中的另一者电耦合到所述第二电极；且/n所述铁电材料不径向地向外延伸越过所述径向外电极。/n
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