[发明专利]硅基板的表面剥离方法有效
| 申请号： | 201580032120.2 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN106463376B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 柳奉宁;梁畅烈;刘圣国 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校ERICA产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过连续的湿法沉积工序和低温工序能够均匀地剥离硅基板的表面的硅基板的表面剥离方法。本发明的硅基板的表面剥离方法包括：在硅基板表面形成纳米孔的步骤；通过无电解沉积方式，在形成有纳米孔的硅基板表面形成金属种子层的步骤；通过电解沉积方式，在上述种子层上形成金属应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力，剥离上述硅基板的表面的步骤。另外，本发明的特征在于包括：通过电解沉积工序，在晶体硅基板的表面形成残留有电解沉积应力的磁性材质的应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力来剥离上述晶体硅基板的表面的步骤，在剥离上述晶体硅基板的表面的步骤中，使用磁铁来对上述应力层施加力。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 表面 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基板的表面剥离方法，包括：在硅基板表面形成纳米孔的步骤；通过无电解沉积方式，在形成有纳米孔的所述硅基板表面形成金属种子层的步骤；通过电解沉积方式，在所述种子层上形成金属应力层的步骤；以及通过残留在所述应力层的电解沉积应力，剥离所述硅基板的表面的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
