[发明专利]EM耦合屏蔽有效
| 申请号： | 201580032319.5 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106663867B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | A·卡沃西恩;A·科哈利利;M·B·瓦希德法尔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/52 | 分类号： | H01Q1/52;H01Q7/00;H03H1/00;H05K1/02;H04B3/28;H05K1/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于抵消EM耦合的方法和设备。设备包括至少部分地围绕EM电路的环结构。负跨导电路耦合至环结构的端部。负跨导电路配置用于抵消在一频率至EM电路的EM耦合。方法包括产生用于负跨导电路的多个设置，以及调谐负跨导电路至用于负跨导电路的多个设置的一个以抵消在频率至EM电路的EM耦合。 | ||
| 搜索关键词： | em 耦合 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种用于抵消电磁(EM)耦合的设备，包括：环结构，所述环结构至少部分地围绕EM电路；负跨导电路，所述负跨导电路耦合至所述环结构的端部，其中所述负跨导电路被配置为抵消在一个频率的对所述EM电路的EM耦合。
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