[发明专利]减少阻障层电阻面积(RA)的产品与磁性装置应用的垂直磁性各向异性(PMA)的保护有效
| 申请号： | 201580032651.1 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106605311B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘焕龙;朱健;皮克宇;童儒颖 | 申请（专利权）人： | 海德威科技公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01F41/30;G11C11/16;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种形成具穿隧阻障层的磁性隧穿接合，其公开具有高穿隧磁阻比与低电阻面积值，本方法于邻接穿隧阻障层上下表面的上、下磁性层保留垂直磁性各向异性；其关键特征在于第一镁金属层沉积于下磁性层后采用的最大氧气压力为10 |
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| 搜索关键词： | 减少 阻障 电阻 面积 ra 产品 磁性 装置 应用 垂直 各向异性 pma 保护 | ||
【主权项】：
一种形成磁性隧穿接合(MTJ)堆栈层的方法，其包含一位于两磁性层间的一穿隧阻障层，该方法包含有：(a)提供一具垂直磁性各向异性(PMA)的下磁性层；(b)沉积一第一金属层而形成一下磁性层/第一金属层界面；(c)执行一具最大氧气压力为10‑5托尔的第一被动氧化程序，该第一被动氧化程序氧化该第一金属层的一上半部份，而该第一金属层的一下半部份沿着该下磁性层/第一金属层接口仍维持未氧化状态；(d)形成一个或一个以上的金属氧化层于该第一金属层的该氧化部份，其中该步骤(b)‑(d)形成一穿隧阻障层；以及(e)沉积一上磁性层于该穿隧阻障层的一上表面。
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