[发明专利]多晶硅棒的表面温度的计算方法和控制方法、多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒以及多晶硅块

摘要

在本发明中，由第一衍射图和第二衍射图，求出针对旋转角度的平均衍射强度比(y＝(h1,k1,l1)/(h2,k2,l2))，基于该平均衍射强度比，计算析出时的表面温度。然后，基于计算出的多晶硅棒的表面温度和该多晶硅棒的析出时的供给电流和施加电压的数据，对新制造多晶硅棒时的供给电流和施加电压进行控制，从而控制析出工艺中的表面温度。通过使用这样的温度控制方法，对析出工艺中的多晶硅棒的中心温度Tc与表面温度Ts之差ΔT(＝Tc‑Ts)进行控制，从而也可以控制多晶硅棒中的残余应力值。

主权项

一种多晶硅棒的表面温度的计算方法，其是利用西门子法培育的多晶硅棒的析出工艺中的表面温度的计算方法，其特征在于，具备：从距使所述多晶硅棒析出的硅芯线的中心线与半径R相对应的位置，裁取以与所述多晶硅棒的径向垂直的断面作为主面的板状试样的步骤；将所述板状试样配置于对来自密勒指数面(h1,k1,l1)的布拉格反射进行检测的位置，以由狭缝确定的X射线照射区域对所述板状试样的主面上进行扫描的方式，以该板状试样的中心作为旋转中心使其以旋转角度进行面内旋转，求出表示来自所述密勒指数面(h1,k1,l1)的布拉格反射强度的所述板状试样的旋转角度依赖性的第一衍射图的步骤；将所述板状试样配置于对来自密勒指数面(h2,k2,l2)的布拉格反射进行检测的位置，以由狭缝确定的X射线照射区域对所述板状试样的主面上进行扫描的方式，以该板状试样的中心作为旋转中心使其以旋转角度进行面内旋转，求出表示来自所述密勒指数面(h2,k2,l2)的布拉格反射强度的所述板状试样的旋转角度依赖性的第二衍射图的步骤；由所述第一衍射图和所述第二衍射图，求出针对所述旋转角度的平均衍射强度比(y＝(h1,k1,l1)/(h2,k2,l2))的步骤；和基于所述平均衍射强度比，计算出与所述多晶硅棒的半径R相对应的位置的多晶硅的析出时的表面温度的步骤。