[发明专利]β－Ｇａ2Ｏ3系单晶衬底

摘要

提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。

主权项

一种β－Ga2O3系单晶衬底，由β－Ga2O3系单晶构成，该β－Ga2O3系单晶衬底的主面是平行于所述β－Ga2O3系单晶的b轴的面；通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下；在如下情形时，所述Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。