[发明专利]基座及其制造方法有效
| 申请号： | 201580032799.5 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106460168B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 篠原正人;阿部纯久;野上晓 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23C16/458;C23C16/56;H01L21/205 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;王磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基座，其特征在于，仅具备：/n具有凹部的基材、/n直接形成在所述凹部的底面上和所述凹部的侧面上的碳化钽层、和/n直接形成在所述凹部以外的所述基材的表面上的碳化硅层。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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