[发明专利]含氟导电膜有效
| 申请号： | 201580032801.9 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106471154B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | T·E·布隆贝格;L·林德罗斯;H·霍特 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/08 | 分类号： | C23C16/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;董志勇 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 用于在基底上沉积含氟薄膜的原子层沉积(ALD)方法可以包括多个超循环。每个超循环可以包括金属氟化物子循环和还原子循环。金属氟化物子循环可以包括使基底与金属氟化物接触。还原子循环可以包括交替地和连续地使基底与还原剂和氮反应物接触。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基底上沉积包括TiF3的导电氟化物薄膜的原子层沉积(ALD)方法，所述方法包括多个超循环，每个超循环包括金属氟化物子循环和还原子循环，其中：所述金属氟化物子循环包括使所述基底与金属氟化物接触；和所述还原子循环包括交替地和连续地使所述基底与还原剂和氮反应物接触。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
