[发明专利]硅晶圆研磨用组合物有效
| 申请号： | 201580033443.3 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106663619B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 土屋公亮;丹所久典;须贺裕介 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/02;B24B37/04;B24B37/24;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供降低雾度的性能优异、并且聚集性低的硅晶圆研磨用组合物。此处提供的硅晶圆研磨用组合物包含含酰胺基聚合物A和不含酰胺基的有机化合物B。含酰胺基聚合物A在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元S。另外，含酰胺基聚合物A的分子量M |
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| 搜索关键词： | 硅晶圆 研磨 组合 | ||
【主权项】：
一种硅晶圆研磨用组合物，其在磨粒的存在下使用，所述硅晶圆研磨用组合物含有硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物A、不含酰胺基的有机化合物B及水，所述含酰胺基聚合物A在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元S，式中，R1为氢原子、碳原子数1～6的烷基、烯基、炔基、芳烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷醇基、乙酰基、苯基、苄基、氯基、二氟甲基、三氟甲基或氰基，X为(CH2)n、(CH2)2O(CH2)2或(CH2)2S(CH2)2，其中，n为4～6的整数，所述含酰胺基聚合物A的分子量MA与所述有机化合物B的分子量MB的关系满足下式：200≤MB<MA。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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