[发明专利]具有复合沟槽和植入柱的半导体器件在审
| 申请号： | 201580033705.6 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN106463544A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 迪瓦·巴达纳亚克;桑迪普·阿加沃尔 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属绝缘体半导体场效应晶体管(MIS‑FET)，诸如具有高电压击穿的超结金属氧化物半导体FET，通过实质上在通过将掺杂剂植入下部层中形成的一个体积或若干体积的顶部上堆叠相对低纵横比柱(填充有掺杂剂(例如，p型掺杂剂)的沟槽)来实现。所述低纵横比柱和所述体积共同形成连续高纵横比柱。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 沟槽 植入 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：包括第一类型掺杂剂的衬底；相邻所述衬底并包括所述第一类型掺杂剂的第一区；以及形成于所述第一区中的多个第二区，所述第二区中的每一者包括沟槽，所述沟槽用包括不同于所述第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂的材料填充，每一所述沟槽邻接在每一所述沟槽与所述衬底之间植入所述第一类型掺杂剂中的所述第二类型掺杂剂的相应第一体积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维西埃-硅化物公司，未经维西埃-硅化物公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580033705.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
