[发明专利]包含磺酰基键的硅烷化合物的制造方法

摘要

本发明提供一种作为光刻法用抗蚀剂下层膜形成组合物的原料有用的包含磺酰基键的硅烷化合物的新颖的制造方法。本发明的式(1)所表示的包含磺酰基键的硅烷化合物的制造方法的特征在于包含如下步骤：步骤(A)，其使式(I)所表示的氯磺酰基化合物在水溶剂中、碱存在下与亚硫酸钠进行反应而生成式(II)所表示的亚磺酸钠盐；及步骤(B)，其向该反应系统中加入芳香族烃溶剂进行共沸脱水之后，添加非质子系极性溶剂与式(III)所表示的氯烷基硅烷化合物而进行反应。[化1](式中，R1、R2、R3、R4及R5分别独立地表示氢原子、选自卤素原子、烷基、烷氧基、卤代烷基及卤代烷氧基、氰基或硝基的取代基，此外，R2与R1或与R3也可以一起形成‑CH＝CH‑CH＝CH‑，R6及R7分别独立地表示碳原子数1至5的烷基，L表示单键，或表示碳原子数1至19的具有直链、支链、环状或组合这些而成的结构的饱和或不饱和的二价烃基，q表示1至3的整数)。

主权项

一种包含磺酰基键的硅烷化合物的制造方法，其特征在于：其是制造式(1)[化1](式中，R1、R2、R3、R4及R5分别独立地表示氢原子、选自由卤素原子、碳原子数1至10的烷基、碳原子数1至10的烷氧基、碳原子数1至10的卤代烷基、碳原子数1至10的卤代烷氧基、氰基及硝基所组成群中的取代基，此外，R2与R1或与R3也可以一起形成‑CH＝CH‑CH＝CH‑，R6及R7分别独立地表示碳原子数1至5的烷基，L表示单键，或表示碳原子数1至19的具有直链、支链、环状或组合这些而成的结构的饱和或不饱和的二价烃基，q表示1至3的整数)所表示的包含磺酰基键的硅烷化合物的方法，且包含如下步骤：步骤(A)，其使式(I)[化2](式中，R1、R2、R3、R4及R5表示所述的含义)所表示的氯磺酰基化合物在水溶剂中、碱存在下与亚硫酸钠进行反应，而生成式(II)[化3](式中，R1、R2、R3、R4及R5表示所述的含义)所表示的亚磺酸钠盐；及步骤(B)，其向该反应系统中加入芳香族烃溶剂进行共沸脱水之后，添加非质子系极性溶剂与式(III)[化4](式中，R6、R7、L及q表示所述的含义)所表示的氯烷基硅烷化合物而进行反应。