[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体结构及其制造方法。该方法包括在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III‑V材料构成的第一接合层，以及在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III‑V材料构成的第二接合层。第一接合层和第二接合层设置在第一元件和第二元件之间，并且第一元件和第二元件在设置于第一接合层和第二接合层之间的接合界面处彼此附接。使用这种方法制造半导体结构。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：在第一元件的主表面上外延生长至少由第一III‑V材料构成的第一接合层；在第二元件的主表面上外延生长至少由第二III‑V材料构成的第二接合层；以至少1.5×10¹⁹cm^‑3的掺杂浓度用n‑型掺杂剂掺杂所述第一接合层和所述第二接合层中的至少一个，并且将所述n‑型掺杂剂选择为包括硒和碲中的至少一种；在所述第一元件和所述第二元件之间设置所述第一接合层和所述第二接合层；以及在设置于所述第一接合层和所述第二接合层之间的接合界面处，将所述第一元件和所述第二元件彼此附接；其中，外延生长所述第一接合层和所述第二接合层进一步包括：外延生长具有小于5埃的原生的表面均方根粗糙度的至少一个接合表面。