[发明专利]蚀刻变化容差优化有效
申请号: | 201580034572.4 | 申请日: | 2015-06-01 |
公开(公告)号: | CN106462086B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 刘晓峰 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本文公开了一种计算机执行的用于改进光刻过程的方法,所述光刻过程用于使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像在衬底上并且用于通过蚀刻过程将所述设计布局的被成像的部分转移到衬底上,所述方法包括以下步骤:针对蚀刻过程的多种变化中的每一种变化,确定所述光刻过程的至少一个评价点的值;计算作为光刻过程的特性的多个设计变量的多变量价值函数,其中所述多变量价值函数是与所述至少一个评价点的被确定值的偏差的函数;和通过调整所述设计变量重新设置所述光刻过程的特性直到终止条件被满足为止。该方法可以减少在蚀刻过程发生变化时对光刻过程的重复的调整的需求。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 变化 优化 | ||
【主权项】:
1.一种计算机执行的用于改进光刻过程的方法,所述光刻过程用于使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像在衬底上并且用于通过蚀刻过程将所述设计布局的被成像的部分转移到衬底上,所述方法包括:针对蚀刻过程的多种变化中的每一种变化,确定所述光刻过程的至少一个评价点的值;计算作为光刻过程的特性的多个设计变量的多变量价值函数,其中所述多变量价值函数是所述至少一个评价点的被确定值的偏差的函数;和通过调整所述设计变量重新设置所述光刻过程的特性直到终止条件被满足为止。
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