[发明专利]堆叠半导体芯片RGBZ传感器

摘要

本发明描述了一种装置，其包括具有第一像素阵列的第一半导体芯片。第一像素阵列具有可见光敏感像素。该装置包括具有第二像素阵列的第二半导体芯片。第一半导体芯片堆叠在第二半导体芯片上，使得第二像素阵列位于第一像素阵列下方。第二像素阵列具有用于基于飞行时间的深度检测的IR光敏像素。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一半导体芯片，其具有第一像素阵列，所述第一像素阵列具有可见光敏感像素；以及第二半导体芯片，其具有第二像素阵列，所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上，使得所述第二像素阵列位于所述第一像素阵列下方，所述第二像素阵列具有用于基于飞行时间的深度检测的IR光敏感像素，其中IR敏感像素直接位于所述可见光敏感像素中的一个或多个的下方，使得由所述IR敏感像素接收的入射IR光穿过所述一个或多个可见光像素，并且其中光导结构直接位于所述一个或多个可见光像素的下方和在所述一个或多个可见光像素与所述IR敏感像素之间，所述光导结构接收已穿过所述一个或多个可见光像素的IR光并将所述IR光引导到所述IR敏感像素，使得所述IR敏感像素可以响应于所述IR光。