[发明专利]扫描脉冲退火装置及方法有效
| 申请号： | 201580035113.8 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106663629B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 阿伦·缪尔·亨特;阿米科姆·萨德;塞缪尔·C·豪厄尔斯;道格拉斯·E·霍姆格伦;布鲁斯·E·亚当斯;西奥多·P·莫菲特;斯蒂芬·莫法特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生能量脉冲。所述控制器也可命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 扫描 脉冲 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于热处理基板的装置，所述装置包括：/n脉冲电磁能量源，所述脉冲电磁能量源以至少100Hz的频率发出脉冲；/n可移动基板支撑件；/n光学系统，所述光学系统设置于所述电磁能量源及所述可移动基板支撑件之间，所述光学系统包含将电磁能量的这些脉冲塑形成具有圆角的矩形分布并将电磁能量的这些脉冲引导朝向待处理矩形分布的部件；及/n控制器，所述控制器经构造以：/n命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生电磁能量脉冲；及同时/n命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述待处理矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得在沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点处接收每点至少6个电磁能量脉冲。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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