[发明专利]碳化硅单晶的制造方法和碳化硅基板在审
| 申请号： | 201580035227.2 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106471165A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 川濑智博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括以下步骤准备具有粘接部(Bp)和阶梯部(Sp)的支撑构件(20b)，阶梯部(Sp)配置在所述粘接部(Bp)的周缘的至少一部分处；和在阶梯部(Sp)上配置缓冲材料。粘接部(Bp)和缓冲材料(2)构成支撑面(Sf)。此外，这种制造方法还包括以下步骤在支撑面(Sf)上配置种晶(10)并将所述粘接部(Bp)与所述种晶(10)互相粘接；和在种晶(10)上生长单晶(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括以下步骤：准备具有粘接部和阶梯部的支撑构件，所述阶梯部配置在所述粘接部的周缘的至少一部分处；在所述阶梯部上配置缓冲材料，所述粘接部和所述缓冲材料构成支撑面；在所述支撑面上配置种晶并将所述粘接部与所述种晶互相粘接；和在所述种晶上生长单晶。
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