[发明专利]使用离子注入制造太阳能电池发射极区

摘要

本公开描述了使用离子注入制造太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的晶体硅基板。第一多晶硅发射极区设置在所述晶体硅基板上方。所述第一多晶硅发射极区掺杂有第一导电类型的掺杂物杂质物质，并且还包括不同于所述第一导电类型的所述掺杂物杂质物质的辅助杂质物质。第二多晶硅发射极区设置在所述晶体硅基板上方，并且与所述第一多晶硅发射极区相邻但分开。所述第二多晶硅发射极区掺有第二相反导电类型的掺杂物杂质物质。第一导电触点结构和第二导电触点结构分别电连接到所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区。

主权项

1.一种制造太阳能电池的交替的N型和P型发射极区的方法，所述方法包括：在基板上方形成硅层；注入第一导电类型的掺杂物杂质物质到所述硅层中以形成第一注入区，并产生所述硅层的未注入区；注入辅助杂质物质到所述硅层的所述第一注入区中，所述辅助杂质物质不同于所述第一导电类型的所述掺杂物杂质物质；注入第二相反导电类型的掺杂物杂质物质到所述硅层的所述未注入区的部分中以形成第二注入区，并产生所述硅层的剩余未注入区；通过选择性蚀刻工艺移除所述硅层的所述剩余未注入区，保留所述第一注入区的至少一部分并且保留所述硅层的所述第二注入区；以及对所述硅层的所述第一注入区和所述第二注入区进行退火以形成掺杂多晶硅发射极区。