[发明专利]用于垂直磁性隧道结(P-MTJ)的合成抗铁磁(SAF)耦合自由层在审
| 申请号： | 201580035682.2 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN106663467A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | C·朴;M·G·戈特瓦尔德;K·李;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)中的磁性隧道结(MTJ)器件以及制造该器件的方法，以达成高隧道磁阻(TMR)、高垂直磁各向异性(PMA)、良好的数据留存、以及高水平的热稳定性。MTJ器件包括第一自由铁磁层、合成抗铁磁(SAF)耦合层、以及第二自由铁磁层，其中第一和第二铁磁层具有相反的磁矩。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 磁性 隧道 mtj 合成 抗铁磁 saf 耦合 自由 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式随机存取存储器MRAM器件，包括：具有第一磁矩的第一自由铁磁层；置于所述第一自由铁磁层上的合成抗铁磁SAF耦合层，所述第一自由铁磁层和所述SAF耦合层形成第一平面接口表面；以及置于SAF耦合层上的第二自由铁磁层，所述第二自由铁磁层和所述SAF耦合层形成第二平面接口表面，所述第二自由铁磁层具有与所述第一自由铁磁层的第一磁矩相反的第二磁矩，其中所述第一和第二磁矩与所述第一和第二平面接口表面垂直。
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