[发明专利]在CVD反应器中被涂覆的扁平构件

摘要

本发明涉及一种带有扁平构件(11、12)的CVD反应器以及扁平构件(11、12、15、17)，所述扁平构件(11、12、15、17)具有两个相互平行延伸且以厚度(d)相互间隔的宽侧(3、3′)，其中，每个宽侧(3、3′)的外部边缘(5)通过构成具有边棱倒圆部半径(R)和边棱倒圆部弧长(α)的边棱倒圆部无弯折地向外部的周向侧(4)的边缘过渡，其中，厚度(d)明显小于与宽侧面表面等效的圆直径(D)，其中，构件(11、12、15、17)构成由石墨制成的芯体(1)，所述芯体的材料与由SiC或TaC制成的涂层(2)的材料相比具有更大的热膨胀系数，宽侧(3、3′)和周向侧(4)在高于室温的涂覆温度下被所述涂层(2)涂覆，以至于在室温下涂层具有压应力。为了降低涂层(2)与芯体(1)之间的应力建议，边棱倒圆部弧长(α)大于90°，并且边棱倒圆部半径(R)为最多1mm和/或大于涂层(2)的厚度，其中，周向侧(4)具有无弯折地相互过渡、构成至少一个凹处(6)的倒圆区段。

主权项

1.一种带有扁平构件的CVD反应器，所述扁平构件具有两个相互平行延伸且以厚度(d)相互间隔的宽侧(3、3′)，其中，每个宽侧(3、3′)的外部边缘(5)通过构成具有边棱倒圆部半径(R)和边棱倒圆部弧长(α)的边棱倒圆部无弯折地向外部的周向侧(4)的边缘过渡，其中，厚度(d)明显小于与宽侧面表面等效的圆直径(D)，其中，所述扁平构件构成芯体(1)，所述芯体的材料与涂层(2)的材料相比具有更大的热膨胀系数，宽侧(3、3′)和周向侧(4)在高于室温的涂覆温度下被所述涂层涂覆，以至于在室温下涂层具有压应力，其特征在于，边棱倒圆部弧长(α)大于90°，用于降低涂层(2)与芯体(1)之间的应力。/n