[发明专利]具有更均匀的边缘净化的基板支撑件在审
申请号: | 201580035762.8 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN106463365A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 贾勒帕里·拉维;松下智治;阿拉维德·米亚尔·卡马斯;袁晓雄;振雄·马修·蔡;曼朱纳塔·科普帕 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文提供基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中,基板支撑件包含:第一板,用以支撑基板,第一板的背侧上具有多个净化气体通道;第二板,设置于第一板下方并支撑第一板;及边缘环,环绕第一板并设置于第二板上方,其中多个净化气体通道从第一板的中央部分中的单一入口延伸至第一板的边缘处的多个出口,且其中多个气体净化通道具有实质相等的流导。 | ||
搜索关键词: | 具有 均匀 边缘 净化 支撑 | ||
【主权项】:
一种基板支撑件,包括:第一板,用以支撑基板,所述第一板的背侧上具有多个净化气体通道;第二板,设置于所述第一板下方并支撑所述第一板;及边缘环,环绕所述第一板并设置于所述第二板的上方,其中所述多个净化气体通道从所述第一板的中央部分中的单一入口延伸至所述第一板的边缘处的多个出口,且其中所述多个净化气体通道具有实质相等的流导。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580035762.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:外延碳化硅晶片的制造方法
- 下一篇:制造不同掺杂的半导体的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造