[发明专利]RGBZ图像传感器的RGBZ像素信元单元的物理布局和结构有效

专利信息
申请号: 201580035890.2 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN106663688B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 温宗晋;B.福勒 申请(专利权)人: 谷歌有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/369;H04N5/3745;H04N9/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明描述了一种具有像素信元单元的图像传感器。该像素信元单元具有在半导体表面上的第一、第二和第三传输门晶体管门,其分别联接在第一、第二和第三可见光光电二极管区域和第一电容区域之间。该像素信元单元具有在半导体表面上的第四传输门晶体管门,其联接在第一红外光电二极管区域和第二电容区域之间。
搜索关键词: rgbz 图像传感器 像素 单元 物理 布局 结构
【主权项】:
1.一种装置,包括:图像传感器,其具有像素单元信元,所述像素单元信元具有物理布局,所述物理布局包括:a)在半导体表面上的第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门,所述第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门分别定位在在第一可见光光电二极管区域、第二可见光光电二极管区域和第三可见光光电二极管区域与第一电容区域之间的所述半导体表面上;和b)定位在所述半导体表面上的第四传输门晶体管门,其联接在第一红外光电二极管区域和第二电容区域之间,所述第四传输门晶体管门是在所述半导体表面上、联接在所述第二电容区域和光电二极管区域之间的唯一晶体管门;c)晶体管门,其定位在所述红外光电二极管区域和所述第一电容区域之间的所述半导体表面上,其中,所述物理布局还包括在所述半导体表面上的第一背漏晶体管门和第四背漏晶体管门,其分别定位在所述第一可见光光电二极管区域和所述第一红外光电二极管区域与电源电压的第一物理节点之间的所述表面上;以及第二背漏晶体管门和第三背漏晶体管门,其分别定位在所述第二可见光光电二极管区域和所述第三可见光光电二极管区域与所述电源的第二物理节点之间的所述半导体表面上,所述晶体管门是所述第一背漏晶体管门。
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