[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
申请号: | 201580036053.1 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN106575062B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 木本英伸;樽井哲弥;濑口佳宏;杉本刚久 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备数据线(24),数据线(24)包含非晶Si膜(122)、n+非晶Si膜(123)、主导体部(133)以及IZO膜(141)。在光致抗蚀剂(142)的覆盖区域内的靠近端的部分对主导体部(133)和IZO膜(141)进行蚀刻,而使n+非晶Si膜(123)形成得比主导体部(133)和IZO膜(141)大。使源极层用的光掩模的图案比像素电极层用的光掩模的图案大,而使非晶Si膜(122)形成得比n+非晶Si膜(123)大。由钼系材料形成主导体部(133),在数据线(24)的上层形成在一方产生压缩应力而在另一方产生拉伸应力的2层保护绝缘膜。由此,提供具有共用电极的高合格率的有源矩阵基板。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板,其特征在于,具备:多个栅极线,其形成于第1配线层;多个数据线,其是形成于第1半导体层、第2半导体层、第2配线层以及像素电极层的层叠配线;多个像素电路,其与上述栅极线和上述数据线的交点对应地配置,各自包含开关元件和像素电极;保护绝缘膜,其与上述栅极线、上述数据线、上述开关元件以及上述像素电极相比形成于上层;以及共用电极,其形成在上述保护绝缘膜的上层,上述开关元件包含:栅极电极,其形成于上述第1配线层;源极电极和漏极电极,其形成于上述第2配线层;沟道区域,其形成于上述第1半导体层;半导体部,其在上述第2半导体层中形成在上述源极电极和上述漏极电极之下;以及导体部,其在上述像素电极层中形成在上述源极电极和上述漏极电极之上,上述数据线的形成于上述第2半导体层的部分形成得比形成于上述第2配线层和上述像素电极层的部分大,上述半导体部形成得比上述源极电极、上述漏极电极以及上述导体部大,上述数据线以及上述源极电极和上述漏极电极的截面形状形成为台阶状。
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