[发明专利]氮化硅粉末、氮化硅烧结体和电路基板、以及氮化硅粉末的制造方法有效
| 申请号： | 201580036058.4 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106470939B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 山尾猛;本田道夫;治田慎辅 | 申请（专利权）人： | 宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/584;C04B35/626 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供兼具高的导热率和高的机械强度的氮化硅烧结体和电路基板、作为其原料的氮化硅粉末及其制造方法。提供氮化硅粉末、由该氮化硅粉末得到的氮化硅烧结体和电路基板、以及该氮化硅粉末的制造方法。该氮化硅粉末的特征为：比表面积为4.0～9.0m2/g，β相的比例小于40％，氧含量为0.20～0.95质量％，通过由激光衍射散射法测定体积基准的粒度分布而得到的频率分布曲线具有2个峰，该峰的峰顶在0.4～0.7μm的范围和1.5～3.0μm的范围，上述峰顶的频率比(粒径0.4～0.7μm范围的峰顶的频率/粒径1.5～3.0μm范围的峰顶的频率)为0.5～1.5，由上述粒度分布测定得到的中位直径D50(μm)与由上述比表面积计算的比表面积当量直径DBET(μm)之比D50/DBET(μm/μm)为3.5以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 粉末 烧结 路基 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.氮化硅粉末，其特征在于，比表面积为4.0～9.0m2/g，β相的比例小于40质量％，氧含量为0.20～0.95质量％，通过由激光衍射散射法测定体积基准的粒度分布而得到的频率分布曲线具有2个峰，该峰的峰顶在0.4～0.7μm的范围和1.5～3.0μm的范围，上述峰顶的频率比，即，粒径0.4～0.7μm范围的峰顶的频率/粒径1.5～3.0μm范围的峰顶的频率为0.5～1.5，由上述粒度分布测定得到的中位直径D50与由上述比表面积计算的比表面积当量直径DBET之比D50/DBET为3.5以上，上述D50和DBET的单位均为μm。
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