[发明专利]ONO堆叠形成方法有效
| 申请号： | 201580036095.5 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106471615B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 克里希纳斯瓦米·库马尔 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在集成CMOS工艺中控制栅极氧化物的厚度的方法，其包括执行两步骤栅极氧化工艺，以同时氧化并因此消耗NV栅极堆叠的覆盖层的至少第一部分以形成阻挡氧化物并且形成在第二区域中的至少一个金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极氧化物，其中至少一个MOS晶体管的栅极氧化物在栅极氧化工艺的第一氧化步骤和第二氧化步骤期间形成。 | ||
| 搜索关键词： | ono 堆叠 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造存储器件的方法，包括：在晶片上形成电介质堆叠，其中所述电介质堆叠包括在所述晶片上的隧道电介质、电荷俘获层和覆盖所述电荷俘获层的覆盖层；图案化所述电介质堆叠，以在所述晶片的第一区域中形成非易失性存储器NVM晶体管的非易失性NV栅极堆叠，而同时移除所述晶片的第二区域中的所述电介质堆叠；和执行两步骤栅极氧化工艺，以同时氧化所述NV栅极堆叠的所述覆盖层的至少第一部分以形成阻挡氧化物并且形成在所述第二区域中的至少一个金属氧化物半导体MOS晶体管的栅极氧化物，其中所述至少一个MOS晶体管的栅极氧化物在所述两步骤栅极氧化工艺的第一氧化步骤和第二氧化步骤期间形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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