[发明专利]通过光纤激光器使非晶硅衬底均匀再结晶的工艺和系统有效
申请号: | 201580036440.5 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN106663655B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 尤里·叶罗欣;伊格尔·山马尔特瑟夫 | 申请(专利权)人: | IPG光子公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/822;H01L21/268 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于使非晶硅(a‑Si)膜结晶的本发明系统配置有准连续波光纤激光源,该准连续波光纤激光源操作为发射膜照射脉冲光束。光纤激光源操作为发射入射在a‑Si上的多个非重复脉冲。具体地,光纤激光器操作为以突发重复率(BRR)发射膜照射光的多个分立分组,并且以高于BRR的脉冲重复率(PRR)在每个分组内发射多个脉冲。每个脉冲的脉冲能量、脉冲持续时间以及PRR被控制为使得每个分组具有期望的分组时间功率分布(W/cm2)和足以在膜的暴露于至少一个分组的每个位置处提供a‑Si到多晶硅(p‑Si)的转变的分组能量。 | ||
搜索关键词: | 通过 光纤 激光器 使非晶硅 衬底 均匀 再结晶 工艺 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于通过顺序横向固化SLS来使非晶硅a‑Si膜结晶的系统,包括:准连续波QCW光纤激光源,操作为发射在紫外UV波长范围内的脉冲线束并被配置为具有主振荡器功率光纤放大器MOPFA光学方案,其中所述主振荡器被直接调制;以及控制器,操作为控制所述主振荡器以便:以突发重复率BRR发射光的多个分立分组,其中每个分组的持续时间为ns的范围且分组时间功率分布为μJ/cm2的范围,以及在ns范围内以高于BRR的脉冲重复率PRR在每个分组内发射多个ns脉冲,其中脉冲能量、脉冲持续时间和PRR被控制为使得每个分组具有期望的分组时间功率分布和分组能量,所述分组时间功率分布和分组能量足以在a‑Si膜的暴露于至少两个分组的每个位置处提供a‑Si到多晶硅p‑Si的结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造