[发明专利]用于制造衬底适配器的方法、衬底适配器及用于接触半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201580036553.5 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106575632B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 伊利萨·维赛勒;弗兰克·克鲁格;马丁·布雷夫斯;迈克尔·舍费尔;安德列亚斯·欣里希;安德烈亚斯·斯蒂芬·克莱恩 | 申请（专利权）人： | 贺利氏德国有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/60;H01L23/49 |
| 代理公司： | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造特别用于接触半导体元件(32)的衬底适配器(27)的方法，该方法包括下列步骤：‑将接触材料(13)施加在载体(10)的侧面(12)上，‑结构化导电的金属元件，‑将结构化的金属元件(15)定位在载体(10)上，使得金属元件(15)的第一侧面(17)和载体(10)的设置有接触材料(13)的侧面(12)相对布置，‑将结构化的金属元件(15)与设置有接触材料(13)的载体(10)结合，‑将传送元件(22)施加在结构化的金属元件(15)的第二侧面(20)上，‑分割传送元件(22)和/或结构化的且与接触材料(13)接合的金属材料(15)以便进一步加工。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 衬底 适配器 方法 接触 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造衬底适配器(27)的方法，所述衬底适配器用于接触半导体元件(32)，所述方法包括下列步骤：/n-将接触材料(13)施加在载体(10)的侧面(12)上，/n-将导电的金属元件(15)结构化，/n-将结构化的金属元件(15)定位在所述载体(10)上，使得所述金属元件(15)的第一侧面(17)与所述载体(10)的设置有所述接触材料(13)的所述侧面(12)相对地布置，/n-将结构化的金属元件(15)与设置有接触材料(13)的所述载体(10)结合，/n-将传送元件(22)施加在结构化的金属元件(15)的第二侧面(20)上，/n-分割所述传送元件(22)和/或结构化的且与接触材料(13)结合在一起的所述金属元件(15)以便进一步加工。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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