[发明专利]用于热腔室应用和热处理的光管阵列有效
申请号: | 201580036673.5 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN106537566B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述一种处理腔室。所述处理腔室包含具有内部体积的腔室、耦接至腔室的光管阵列以及辐射热源,所述光管阵列包括壁构件,壁构件界定腔室的内部体积的边界,其中光管阵列包含多个光管结构,辐射热源包括与所述多个光管结构中的每一个光学通讯的多个能量源。 | ||
搜索关键词: | 用于 热腔室 应用 热处理 阵列 | ||
【主权项】:
一种用于热处理腔室中的光管阵列,所述光管阵列包括:壁构件;和多个光管结构,所述多个光管结构设置于邻近所述壁构件的主表面处,所述多个光管结构中的每一个均具有纵向轴,所述多个光管结构中的至少一部分以所述纵向轴与所述壁构件的所述主表面的平面呈实质上正交关系的方式放置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580036673.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造