[发明专利]外延硅晶片和其制造方法

摘要

外延硅晶片的制造方法，其包括：预热处理步骤，对氧浓度处于9×10¹⁷原子/cm³~16×10¹⁷原子/cm³的范围、且包含氧析出抑制区域而不含位错簇和COP的硅晶片，实施用于提高氧析出物密度的热处理；以及，外延层形成步骤，在预热处理步骤之后，在硅晶片的表面上形成外延层。该制造方法还包括：热处理条件确定步骤，基于实施预热处理步骤之前的硅晶片中的氧析出抑制区域的比例，确定预热处理步骤中的热处理条件。通过该制造方法，能够制造外延缺陷的密度少、且遍及晶片的径向的整个区域的吸杂能力优异的外延硅晶片。

主权项

1.外延硅晶片的制造方法，其包括：预热处理步骤，对氧浓度处于9×10¹⁷原子/cm³~16×10¹⁷原子/cm³的范围内、且包含氧析出抑制区域而不含位错簇和COP的硅晶片，实施用于提高氧析出物密度的热处理；以及外延层形成步骤，在所述预热处理步骤之后，在所述硅晶片的表面上形成外延层，还包括：热处理条件确定步骤，基于实施所述预热处理步骤之前的所述硅晶片的氧析出抑制区域的比例，确定所述预热处理步骤中的热处理条件，在所述热处理条件确定步骤中，将所述预热处理步骤中的热处理温度(℃)记作T、将所述硅晶片半径方向的氧析出抑制区域的宽度相对于所述硅晶片的半径的比例(%)记作X、将所述硅晶片的氧浓度(原子/cm³)记作Co时，以满足下述关系式(1)~(3)中的任一者的方式确定所述热处理条件，9×10¹⁷原子/cm³≤Co<11.5×10¹⁷原子/cm³时：(Co×(100‑X)/5.3×10⁵¹)^(‑1/11.29)<T≤800　　(1)11.5×10¹⁷原子/cm³≤Co<13.5×10¹⁷原子/cm³时：(Co×(100‑X)/5.3×10⁵¹)^(‑1/11.29)<T≤900‑(13.5×10¹⁷‑Co)×5×10^‑16 　(2)13.5×10¹⁷原子/cm³≤Co≤16×10¹⁷原子/cm³时：(Co×(100‑X)/5.3×10⁵¹)^(‑1/11.29)<T≤900 　(3)。