[发明专利]非易失性多次可编程存储器器件有效
| 申请号： | 201580037459.1 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106537605B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | X·李;J·J·徐;X·陆;M·M·诺瓦克;S·H·康;X·陈;Z·王;Y·陆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L29/423;H01L27/112;G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置包括多次可编程(MTP)存储器器件。该MTP存储器器件包括金属栅极、基板材料、以及该金属栅极与该基板材料之间的氧化结构。该氧化结构包括氧化铪层和二氧化硅层。该氧化铪层与该金属栅极接触，以及与该二氧化硅层接触。该二氧化硅层与该基板材料接触。该MTP器件包括晶体管，并且该MTP存储器器件的非易失性状态是基于该晶体管的阈值电压的。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 多次 可编程 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括多次可编程(MTP)存储器器件的装置，所述多次可编程存储器器件包括：金属栅极；基板材料；以及所述金属栅极和所述基板材料之间的氧化结构，所述氧化结构包括氧化铪层和二氧化硅层，所述氧化铪层与所述金属栅极接触并与所述二氧化硅层接触，所述二氧化硅层与所述基板材料接触，其中所述多次可编程存储器器件包括晶体管，以及其中所述多次可编程存储器器件的非易失性状态基于所述氧化铪层与所述二氧化硅层之间的偶极子的取向。
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